收藏本站
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

一维量子导线中双杂质模型的电子输运性质的研究

周晓艳  
【摘要】:本论文对含双杂质的一维量子导线的电子输运问题做了较系统的研究,并得出了一些重要的结论,对量子器件的设计提供了重要的理论指导。 首先,我们介绍了这个含双杂质的一维量子导线模型,并借助于一系列能量参数来表征这个模型的特征,这些参数分别为:链中主原子和杂质原子的在位能,杂质与两端链间的耦合强度,链中主原子间和两杂质间的耦合强度。基于这个模型的特点,采用了单通道散射理论,而且在紧束缚近似下,采用了转移矩阵法,从而求得了该模型的几个重要物理量的解析解:束缚态,透射系数和态密度的变化量。 其次,为了能更好地理解这种含双杂质的一维量子链的输运性质,我们先回顾了一下更简单的单杂质模型的输运性质。然后,我们对杂质与两端的耦合对称的双杂质模犁进行了详细的研究,先对双杂质模型细分为对称双杂质模型(两杂质的在位能相等)和反对称双杂质模型(两杂质的在位能相反),我们对两模型都作了以下几方面的研究:束缚态,透射系数,态密度变化量随杂质间耦合强度和杂质—链间耦合强度的变化情况,重点讨论了束缚态和透射系数最大值之间的密切联系,态密度的变化量与透射系数之间的联系。其中,束缚态和态密度的变化量的研究主要是为了更好的理解透射系数的变化过程,从而对模型的输运性质有更好的认识。具体的研究结果表明,双杂质模型的某些结果与单杂质模型差异很大,如束缚态与透射系数最大值间的联系。根据透射系数最大值随杂质—链间耦合强度变化过程中出现的一些急剧跳变结构,我们提出了一种新的设计量子开关的机理。这也是本论文的最重要的部分。 最后,我们对所作的研究进行了总结,得出了一些重要的结论,并对分子器件的设计提出了一点构想。


知网文化
【相似文献】
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 佘利敏;锑表面磁性杂质效应的STM研究[D];中国科学院研究生院(武汉物理与数学研究所);2013年
中国硕士学位论文全文数据库 前6条
1 杨芳芳;基于ANSYS的杂质诱导光学薄膜激光损伤的研究[D];武汉理工大学;2008年
2 周晓艳;一维量子导线中双杂质模型的电子输运性质的研究[D];浙江师范大学;2005年
3 黄展鹏;磁性杂质对铜氧化物高温超导体物理性质影响的理论研究[D];青岛大学;2011年
4 李丰庆;硼对铝中杂质元素的作用及其对导电率的影响[D];大连理工大学;2003年
5 闵文静;磁性杂质作用下共轭聚合物中极化子动力学性质研究[D];山东大学;2012年
6 鞠光乾;Fe、Si和Cu杂质元素对Al-Zn-In阳极的电化学性能研究[D];大连海事大学;2013年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978