ZnO基三维有序纳米结构材料的合成及其光学性能研究
【摘要】:
随着半导体工艺技术的发展,人们正积极探索高效率半导体材料。基于ZnO材料诸多众所周知的优点,例如宽的直接带隙(3.37eV)、大的激子束缚能(60meV),这种半导体材料在最近的十年成为了世界性的研究热点之一。人们预测这种半导体材料在光电子学、传感器、透明电极、生物医学等领域具有广泛的潜在的用途,其中最引人注目的便是这种材料有望制成短波长的光发射器件和室温紫外激光器件。然而,到目前为之,这种材料仍然存在的一些缺点阻碍了它在应用研究方面的快速进展。比如,P型ZnO的制备,界面的欧姆接触,以及这种材料常存在的多种缺陷。解决这些问题对拓展ZnO材料使之实用化至关重要。特别需要指出的是,我们对ZnO材料一些基本问题的认识仍然没有统一,例如,尽管前人已经开展了大量的研究工作,但是这种半导体材料中相应的本征缺陷和光学性能究竟如何相关依然存在着诸多争论。因此,合成具有特定结构的ZnO纳米材料并研究其特定的性能是非常必要的工作。
在过去的十年中,三维(3D)有序纳米结构材料也引起了人们浓厚的研究热情,因为这种材料在分离、催化、传感器、生物科学和光电子学等方面有着潜在的应用价值。这种三维有序结构的纳米材料最重要的应用之一便是光子晶体。光子晶体是一类在光学尺度上具有周期性折射率的有序结构。与半导体晶格对电子波函数的调制相类似,光子晶体材料具有调制相应波长的电磁波的能力。当电磁波在光子晶体材料中传播时,由于存在布拉格散射而受到调制,从而使电磁波能量形成光子禁带结构。如果光子晶体内部的缺陷能够有效控制,原则上人们可以通过设计光子晶体,达到控制光子运动的目的。这为制造有效的瞄准仪和全光学的微芯片等光子学器件提供了研究基础。光子晶体也提供了一个有效的调制真空涨落的环境,这将会对填入光子晶体的发射体的光学行为产生奇妙的影响。
利用二氧化硅和聚苯乙烯(PS)胶体晶体作为模板来制造三维有序多孔结构是一种简便而有效的办法。在过去的几年里,借助于二氧化硅和聚苯乙烯胶体晶体模板,不同类型的有序复合纳米材料或者有序多孔材料被不断制造出来。虽然对于三维有序材料的制造和合成的研究已经被广泛探究,但是对于这些有序材料的光学性能的研究仍然是缺乏和不系统的。
另外,在人工制造的光子晶体结构中,不可避免将存在一些缺陷和不完美之处。这些有序结构中的无序因为散射效应可以对荧光谱产生很大影响。但前人的工作主要集中于研究有序结构的禁带效应对光学性能的影响,对光子晶体中存在的无序散射对荧光谱所造成的影响的研究则甚少。
本论文主要是以合成多功能、多用途和低成本的ZnO基的三维有序纳米结构材料为研究目标,以其诸多潜在应用为背景,从胶体晶体作模板法出发,研制了一系列ZnO基的三维有序纳米结构材料。鉴于三维有序材料及ZnO材料都是有希望的光电材料(这两个体系在短波长激光器的研制方面都有极大的应用价值),因此结合了这两方面优点的ZnO基的三维有序纳米结构复合材料在光电子学应用方面有着良好的前景。其实,这种材料还有其他多方面的应用前景。比如,有序多孔的ZnO薄膜本身就是一种很有潜力的传感器和半导体电极,因为它的表面积特别大,所以有利于提高界面的传输效率。本论文侧重于ZnO基的三维有序纳米结构复合材料的光学性能的研究,并进行了形貌、物相等较全面的表征。在这方面取得的主要工作进展和成果,主要如下:
1.以胶体晶体模板法为基础,合成了一系列达到光学质量的ZnO基的三维有序纳米结构材料。
2.研究了ZnO-SiO_2复合蛋白石和ZnO反蛋白石带边发光的激发功率依赖性。发现跟致密的ZnO相比,随着激发功率升高,ZnO有序结构显示了更大的PL红移和宽化现象。我们将这些现象归因于有序结构中的强的激光加热效应。在此基础上,我们建立了一个简单的模型来定量分析试验结果。发现理论和事实吻合得很好。
3.我们发现电沉积制得的ZnO共振Raman散射谱上的577cm~(-1)振动模式强度同绿光发射强度之间有着很大的关联。经过老化处理或者激光辐照处理后,这两者的强度都明显降低了,并且同时伴随着紫外发光峰的红移。随着电沉积温度的提高,或者N_2气氛中热处理温度的提高,这两者都随之降低。根据这些事实,我们认为这两者都同ZnO表面的氢氧化物相关。
4.通过变温PL测量,我们研究了ZnO反蛋白石激子发光。发现跟致密的ZnO相比,ZnO反蛋白石发光的强度和热活化能都明显提高。我们认为可能的原因是反蛋白石结构中的介电限域效应和无序散射增强效应。通过变功率PL测量,我们研究了ZnO反蛋白石激子发光。发现通过变功率PL获得的参数与变温PL获得的参数高度一致。这证实了我们提出的理论模型。
5.在氙灯激发下,我们发现ZnO-SiO_2复合蛋白石的荧光强度,热稳定性,时间稳定性与纯的ZnO纳米晶膜相比都有显著提高。虽然填入蛋白石的ZnO含量很少,但是其发射的荧光已经肉眼可见。我们将荧光增强归因于有序结构中不可避免的无序对入射光多重散射的结果。
6.在He-Cd激光激发下,通过改变光子禁带位置和膜的厚度,我们研究了ZnO-SiO_2复合蛋白石的光学行为。发现跟纯的ZnO纳米晶膜相比,ZnO-SiO_2复合蛋白石的紫外可见强度比得到了提高。另外,我们发现禁带在410nm的ZnO-SiO_2复合蛋白石的紫外光强度对膜厚很敏感,而禁带在570nm的ZnO-SiO_2复合蛋白石的紫外光强度对膜厚不敏感。
7.通过不同气氛不同温度热处理研究了H_2O_2电沉积ZnO膜的发光行为。发现高温热处理后的绿带发光峰位比低温热处理的样品峰位波长更短。得出结论,高温处理后的绿光发光机制与低温热处理的不一样。
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1 |
李燕;谢娟;邓宏;徐自强;;光子晶体的研究进展[J];材料导报;2005年12期 |
2 |
李燕;谢娟;邓宏;徐自强;;光子晶体的研究进展[J];材料导报;2006年02期 |
3 |
蔡小梅;陈福义;介万奇;;SiO_2/CdS光子晶体的制备及其光学性能[J];功能材料;2006年08期 |
4 |
李育洁;张海明;胡国锋;李晓洁;高波;朱彦君;;ZnO纳米棒的低温制备及表征[J];半导体技术;2009年12期 |
5 |
孙柏;邹崇文;刘忠良;徐彭寿;张国斌;;衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响[J];无机材料学报;2006年04期 |
6 |
陈红升;齐俊杰;黄运华;廖庆亮;张跃;;Sn掺杂ZnO半导体纳米带的制备、结构和性能[J];物理化学学报;2007年01期 |
7 |
邵思飞;吕淑媛;张威虎;贾培军;;一种性能优良的ZnO纳米结构的制备方法[J];铸造技术;2008年09期 |
8 |
沈文娟;王俊;王启元;段垚;曾一平;;MOCVD方法在Si衬底上低温生长ZnO薄膜(英文)[J];功能材料与器件学报;2006年01期 |
9 |
;单波长光子晶体的制作[J];激光与光电子学进展;1999年01期 |
10 |
张冶文,陈鸿;高阻抗的电磁波反射表面——光子晶体的实际应用之一[J];电工技术杂志;2001年12期 |
11 |
梅洛勤,叶卫民,曾淳,袁晓东,朱志宏,张晚云,王华;用传输矩阵法(TMM)研究二维光子晶体传输特性[J];量子光学学报;2003年02期 |
12 |
郭振;Andreazza-Vignolle Caroline;Andreazza Pascal;赵东旭;刘益春;张立功;李炳辉;张振中;申德振;;垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文)[J];发光学报;2011年05期 |
13 |
李勃,周济,胡伟,李龙土,桂治轮;处理温度对聚合物蛋白石基光子晶体禁带的影响[J];科学通报;2002年06期 |
14 |
朱志宏,叶卫民,袁晓东,曾淳,王华;用时域有限差分法研究二维光子晶体传输特性[J];光学学报;2003年05期 |
15 |
梅洛勤,曾淳,叶卫民,袁晓东,朱志宏,张晚云,王华;二维损耗和色散介质光子晶体传输特性的研究[J];国防科技大学学报;2004年01期 |
16 |
张瑞君;光子晶体与光子晶体有源器件[J];微纳电子技术;2004年06期 |
17 |
黄晓琴,崔一平;一维光子晶体非线性色散特性的分析[J];光子学报;2005年03期 |
18 |
易小菊;控制光子的“半导体”——光子晶体[J];湖南大学学报(自然科学版);2003年S1期 |
19 |
董丽娟,杨成全;光子晶体[J];雁北师范学院学报;2004年02期 |
20 |
刘治;光子晶体的制备与应用展望[J];自然杂志;2004年05期 |
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