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热电纳米线阵列的调制生长研究

汪伟  
【摘要】: 寻找高效率、持久的绿色能源是21世纪人们亟待解决的重大问题。热电材料具有热能与电能方便转换的本领,优良的热电材料可以高效地回收热能,提高制冷效率,是解决能源危机的一种重要途径。目前国际上所关注的重点在于如何提高热电材料的热电优值。理论证明,低维热电体系可以比块材显著提高热电性能,这是由于在低维体系下将大大提高费米能附近的态密度而提高热电材料的塞贝克系数,另外由于电子和声子的平均自由程的不同,当尺度降低到一定大小时,可以有效地增强声子散射而不怎么影响电子的传输,从而达到整体热电性能的提高。实验结果也证实在超晶格薄膜、热电纳米线及纳米晶镶嵌体中热电优值得到了极大的提高,但是由于受到材料合成、测试手段等限制,人们对于热电纳米材料形貌控制、成份优化、结构调控等方面的研究还非常有限。 本论文中,我们围绕氧化铝模板法合成热电纳米线材料这一途径,详细研究了电化学沉积BixTe_(1-x)纳米线阵列成份与结构控制条件。针对于国际上关于热电超晶格纳米线的研究热点,发明了一种简单实用的多重异质结纳米线阵列合成方法,并利用脉冲电化学模板法成功生长了具有调制周期的Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列。此外,我们还制备了CdTe/Te多重异质结纳米线阵列,证明了异质结中的电子结构耦合。论文内容共分为五章,各章主要内容分别概括如下: 第一章综述了有关热电材料及器件应用的研究进展,包括热电材料性能的影响因素及改进方法;介绍了目前较为成熟的块材热电材料和新颖的纳米热电体系,以及纳米热电材料的合成途径,并结合热电材料的应用背景阐述了当前研究中还存在的一些问题。 第二章中,由于尺寸、成份与结构对于调节纳米热电材料性质具有决定性影响,我们系统研究了Bi_xTe_(1-x)纳米线阵列的可控性生长条件。首先合成了高度有序的氧化铝模板;研究了电化学沉积Bi_xTe_(1-x)纳米线阵列成分控制条件,发现Bi_xTe_(1-x)纳米线中Bi的原子含量随着电解液中Bi~(3+)含量增加而增加,由于Bi~(3+)和HTeO_2~+的沉积势的轻微不同使得化学计量比的Bi_2Te_3纳米线阵列需要在Bi含量为42%的电解液中制备;并且,我们发现电压是影响Bi_2Te_3纳米线阵列取向生长的重要参数,在两电极法下在1.3-1.4V电压范围内适合Bi_2Te_3纳米线阵列沿(110)高度取向生长。另外,通过预控制氧化铝模板孔径,可以有效调控生长直径在40-250nm范围内的Bi_2Te_3纳米线。 第三章中基于限制体系下的过饱和析出原理,我们提出了一种简单实用的异质结纳米线阵列合成途径,通过过饱和Bi-Te纳米线阵列的简单退火处理制备了高品质的Bi_2Te_3/Te多重异质结纳米线阵列。所制备的异质结纳米线连续且致密,所有结区都是单晶的,并可以在结区之间观察到清晰平整的界面。我们通过差热扫描(DSC)和X射线衍射(XRD)等手段详细研究了过饱和Bi-Te纳米线阵列的晶化行为过程,发现体系在120℃附近开始晶化,而在400℃处发生了一个升华相变反应。通过观察纳米线在不同退火温度下的微结构,我们认为过饱和Bi-Te纳米线中经历了成核、生长和粗化三个过程,而当晶粒长大到模板孔径大小时受到了氧化铝孔洞的物理限制,从而导致了这种多重异质结纳米线的形成。基于成熟的物理相图分析,这种方法可以扩展到其它异质结纳米线阵列的合成当中。 第四章详细研究了Bi-Sb-Te电解液中各物质沉积参数,并利用脉冲电化学模板法成功制备了Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列。电镜研究结果表明纳米线都是致密连续的,EDS扫描能谱结果证明这些异质结纳米线具有完美的空间分布周期性。通过调节脉冲时间,我们可以方便地调节超晶格纳米线的周期以及结区长度比,其最小周期可达10纳米。这种可调制的热电超晶格纳米线将有可能大大降低晶格热导而具备广阔的热电应用前景。 第五章中通过对Cd-Te相图的分析和Cd-Te电解液的伏安曲线学习,设计了过饱和Cd-Te合金纳米线阵列在限制体系下的脱溶沉淀反应,成功制备了CdTe/Te多重异质结纳米线阵列。所制备的纳米线上交替出现明显的结区,高分辨和电子衍射结果显示这些结区分别是单晶的CdTe和Te,符合相分离的结果。对比CdTe/Te异质结纳米线、纯CdTe及纯Te的吸收光谱研究发现,异质结中CdTe吸收峰的淬灭说明了异质结中的电子结构耦合,具有潜在的光电应用价值。


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