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钙钛矿结构锰氧化物块材的内耗及膜材的制备和输运性能的研究

尹文红  
【摘要】: 钙钛矿结构锰氧化物材料所表现出的巨磁电阻效应(CMR),在提高磁存储密度以及磁传感器等方面具有十分广阔的应用前景。近几年,受到全世界的广泛关注。 本论文简要说明了巨磁电阻材料的最新研究进展及其应用前景,主要介绍了锰氧化物材料的物理性能。通过实验研究了用固相反应法制备的La_(0.85)MnO_3块材的结构、电磁性能和低频内耗,得出结论:电阻峰和内耗峰与居里温度(磁化率的显著变化点)有很好的对应,来源于顺磁绝缘相到铁磁金属相的转变过程,可以用双交换机制来解释。还研究了La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/La_(0.85)MnO_3/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3和La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/LaMnO_3/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3三层膜及{La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/La_(0.85)MnO_3}_(15)和{La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/LaMnO_3}_(15)多层膜的制备及其磁电阻效应。薄膜是采用直流磁控溅射方法在(001)取向的LaAlO_3单晶基片上制备的。实验结果表明,多层膜的磁电阻效应比三层膜的磁电阻效应大。


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