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YAG粉体组分和形貌调控及粉体反位缺陷的研究

桑元华  
【摘要】:掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)透明激光陶瓷因其兼有激光玻璃能够实现的大尺寸和激光晶体所拥有的高热导率和高机械强度,并可以实现高浓度掺杂,是超高功率激光器及各种固态激光器的备选的下一代激光工作介质。 透明激光陶瓷的制备是建立在高性能钇铝石榴石粉体原料批量合成的基础上的,因此,钇铝石榴石纳米粉体的合成一直是十几年来激光陶瓷研究的热点和关键。目前,尽管人们已经能够制备出性能较高的激光陶瓷材料,但由于对纳米粉体合成过程中的化学反应机理、成核与生长机制、表面物理形态对致密纳米晶体颗粒的形成规律没有搞清,人们尚无法稳定获得相结构完美的、高分散的、粒径可控的激光陶瓷粉体,所以,激光陶瓷一直未实现批量生产。另外,YAG晶体中的Y离子可能会占据Al离子的位置而形成的反位缺陷,这种分子缺陷曾被认为是影响掺杂YAG基材料发光性能的主要原因之一,其存在与否及浓度多少一直是YAG结构化学的研究热点,虽然有相关理论和实验研究,但仍然没有达成定论,对于YAG纳米粉体中是否存在这种分子缺陷,也缺乏可靠的实验研究。 因此,本论文主要针对YAG纳米粉体合成新方法,以及常规的碳酸氢铵共沉淀法合成过程中的基础物理化学反应机制,特别对前驱体形成、物相转化、形貌演化等方面进行系统的研究,揭示相关合成过程中的反应机理,以实现对YAG粉体组分、形貌和结构的调控。同时,本文利用包括中子衍射在内的多种现代表征和研究手段,研究化学计量比对YAG粉体反位缺陷的存在及浓度的影响,以寻找YAG粉体中反位缺陷调控的依据。 本论文主要研究工作如下: 1.溶液-干燥-煅烧法制备YAG粉体及其低温烧结现象研究 (1)为了避免共沉淀法制备YAG粉体过程中Y离子和A1离子在沉淀产物中偏析,实现YAG前驱体中元素均匀分布,本文提出基于硝酸铝和硝酸钇混合溶液的干燥粉末进行煅烧分解,合成YAG粉体的一种溶液-干燥-煅烧法。 利用这种方法在850℃下实现了纯相YAG粉体的制备,粉体一次颗粒尺寸为20-30nm,具有很好的烧结活性,同时容易出现聚集和晶粒生长。1000℃煅烧能够形成尺寸约为20μm的陶瓷小块,其晶粒大小约为1-2μm,这种晶粒生长的温度比通常纳米粉体成型的陶瓷坯体的烧结温度低约700℃。 由于此方法保证了Y离子和Al离子原子级均匀分布,故能够在较低温度下反应生成YAG相,并可以避免六方相YA103等中间相残留。相邻纳米颗粒之间界面两边物质的自由能差AG很大,为纳米颗粒长大提供了很大的晶粒生长驱动力,这是其低温致密化的主要原因。另外,氧化物纳米颗粒表面断键带来的大量羟基所实现的颗粒之间的氢键连接,以及干燥和煅烧过程中羟基失水形成桥氧,是纳米颗粒间紧密聚集、颗粒间物质输运的势垒降低,实现粉体低温致密化的另一原因。 (2)基于硝酸盐溶液-干燥-煅烧法所实现的低温致密现象,本文提出了以YAG单晶为基体,利用纳米晶粒的高活性实现YAG晶体生长的固相外延生长单晶的方法。采用混合硝酸盐-柠檬酸溶胶为前驱体,利用液相沉积-分解-固相外延法实现了Nd:YAG在YAG(111)单晶衬底上的外延生长。研究表明,旋涂法制备的混合YAG前驱体薄膜500℃热处理,得到由非晶氧化物纳米颗粒组成的薄膜,1100℃热处理能使纳米颗粒结晶化,并且在衬底的影响下实现定向外延生长。X射线衍射表明,薄膜生长方向为(111)晶面,与衬底方向一致。经过1700℃热处理,发现薄膜与晶体完全融合,晶界消失。 (3)溶液-干燥-煅烧法提供了一种制备YAG粉体的简单方法,通过一定措施提高粉体的分散性,就可能实现组分均匀的YAG纳米粉体的批量制备;单晶固相外延法是一种低温、低成本的高温晶体生长方法,是传统的气相、液相外延生长模式以外的第三种晶体生长方法,可以用于制备梯度掺杂的YAG单晶,同时也可以用于高熔点氧化物晶体的低温生长。 2.碳酸氢铵沉淀法制备YAG粉体的组分及形貌调控研究 (1)通过对碳酸氢铵正滴法(沉淀剂滴入混合硝酸盐溶液)与反滴法(混合硝酸盐溶液滴入沉淀剂)YAG粉体合成过程中反应体系pH、前驱体中Y/A1比及前驱体煅烧过程中晶相转化规律的研究,探讨了两种不同共沉淀方法前驱体形成机制及其对前驱体分解、晶相形成过程的影响,为实现前驱体形貌规则、组分均匀,以及调节合成粉体的相组成奠定了基础。 研究表明:碳酸氢铵正滴法形成的前驱体沉淀虽然宏观上满足YAG的化学计量比,但是因为Y离子和Y离子沉淀顺序不同,从微观结构来看,沉淀颗粒中Y和Al呈现核壳状梯度分布。碳酸氢铵反滴法沉淀形成过程可以看做在液滴微反应器中进行的正滴法沉淀形成过程,但是反滴法可以实现两种离子在更小尺度上的共同沉淀,获得Y、Al元素均匀分布的前驱体。 在碳酸氢铵正滴过程中(pH值上升过程),Al离子先形成沉淀物晶核,随着体系pH值的升高以及Al离子沉淀物晶核的增多,Y离子沉淀物在Al离子前驱体晶核上析出,形成Y/Al逐渐增大的,Y、Al梯度分布的核壳结构。在碳酸氢铵反滴过程中(pH值下降过程),将滴入体系的液滴看做是正滴过程中的离子溶液,将体系中的NH4HC03看做是正滴过程中滴入的沉淀剂,如果以液滴为参照系看作一个微反应器,这样液滴微反应器中离子溶液存在着pH梯度,此梯度将使得单一液滴微反应器中离子沉淀过程与正滴过程相似。因为混合反应过程是在剧烈搅拌条件下进行,液滴体积较小,在pH较高的环境中,这些微小的液滴与沉淀剂迅速反应,首先形成Y和Al共沉淀的外壳,将内部离子包裹起来,保持微小液滴尺度上Y和Al元素的化学计量比。由于沉淀外壳的阻隔,内部pH值的变化减缓,内部离子缓慢在沉淀外壳上形成Al沉淀和Y沉淀,形成空心结构,之后聚沉形成前驱体沉淀。这是反滴法共沉淀过程制备YAG前驱体需要陈化的原因之一 (2)针对碳酸氢铵反滴法制备YAG前驱体,本文研究了沉淀剂用量对前驱体形貌和组分的影响,及其对物相转变的影响。发现高碳酸氢铵用量在共沉淀过程中可以保证前驱体严格的共沉淀过程,但是在陈化过程中其反应溶液对浸泡其中的前驱体中的元素分布、颗粒形貌等产生影响,进而影响煅烧过程中YAG粉体晶相的形成。 研究表明,过量的碳酸氢铵有利于维持反应体系中pH的相对稳定,能够更快的达到Y和Al离子的沉淀条件,但是其带来的高pH化学环境,使得先期沉淀物在陈化过程中出现了Y/Al比例的变化,并引起前驱体结构和形貌变化,以及Y和Al沉淀物的分离,引起组分的不均匀,增加了反应过程中Y和Al的扩散难度,不利于反应形成YAG相,增大了可控制备的难度。 (3)采用碳酸氢铵反滴法制备YAG前驱体,能够降低粉体制备温度,碳酸氢铵的用量是调控前驱体产物的组分和形貌的关键因素。 3.煅烧温度调控YAG纳米粉体粒度及对坯体烧结性能的影响 (1)采用碳酸氢铵共沉淀法制备YAG前驱体,分别经过900、1000、1100、1200和1300℃2小时煅烧,得到了颗粒尺寸分别为30、40、80、100和200nm的YAG粉体。 利用高温热膨胀仪,对粉体制备的坯体的加热致密化过程进行实时地检测,发现随着颗粒尺寸的增大,坯体收缩开始和终止的温度提高。其中30nm的粉体的坯体收缩终止温度比200nm的还要高,其总收缩率比200nm的粉体制备的坯体总收缩率高约30%,这是由低合成温度得到的粉体的空壳结构,以及其高烧结活性导致的封闭气孔所致。研究发现,粉体粒度近似的粉体在粘连程度、坯体收缩率等方面表现相似,说明粉体颗粒尺寸对其烧结性能具有决定作用。 烧结结果显示,小尺寸低结晶性带来的高烧结活性能在一定程度上降低烧结温度,但容易导致晶粒生长过程过快,局部的不均匀造成晶粒异常长大和封闭气孔,说明纳米粉体过高的烧结活性可能会给YAG陶瓷烧结带来困难。颗粒尺寸为200nm的粉体虽然粘连程度有所增加,但是能够实现晶粒稳定生长,达到最高致密化程度。 (2)使用颗粒尺寸为200nm的粉体在200MPa下制备的陶瓷坯体,在不同温度下真空烧结20min,研究了烧结所形成的陶瓷微观结构,讨论了陶瓷致密过程的不同阶段,提出选择适当低温长时间烧结之后,再提高温度烧结,对透明陶瓷的制备有益。因为在烧结过程前期,纳米粉体具有很高的烧结活性,能够在相对低温下实现晶粒长大。适当的低温,有利于避免快速烧结引起大量封闭气孔;烧结后期需要提高温度来提高原子迁移率,以通过晶界迁移达,到进一步致密。 4.非化学计量比YAG粉体中反位缺陷研究 制备了非化学计量比的YxAlsO12(x=3.4,3.2,3.1,3.0,2.85,2.65)粉体,采用X射线吸收谱(XANES),X射线光电子能谱(XPS),X射线粉末衍射(XRD),中子粉末衍射(NPD),以及核磁共振(NMR)等测试方法,对其A1和Y的占位情况进行研究。从实验上讨论反位缺陷问题,发现煅烧得到的YAG粉体中反位缺陷含量很低,添加的过量的Y或者Al进入YAG晶格的几率很低,多以富Y化合物或者铝氧化物的形式存在,这些非YAG相多附着在YAG颗粒表面。 利用Rietveld峰形拟合的方法,对非化学计量比的YAG粉体的NPD和XRD分析研究,证实了液相法制备的YAG粉体中的反位缺陷浓度很低,甚至可能不存在。非化学计量比对反位缺陷浓度的影响很弱,过量的Y和Al最终以富Y(YAM, YAP)和Al2O3的形式存在,进入YAG晶格形成缺陷的机会很小。 通过27Al MAS NMR等分析过量的Al的存在状态,发现Al-O五配位结构的存在,结合XRD和高分辨TEM结果,判断过量的Al能够以结晶性较弱的θ-Al203或者非晶状态存在于YAG颗粒的表面。XANES和XPS测试确认了A1有多种占位情况,表现为铝过量样品的吸收谱线出现展宽。受到粉体中十分复杂的元素晶格环境的影响,基于分析不同晶格场中元素结合能的方式,不适合讨论粉体中的反位缺陷。


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