C掺杂与氧化物掺杂对MgB_2超导体的影响

【摘要】：由于较高的超导转变温度(Tc),原材料廉价和无弱连接效应,MgB2超导体被认为有可能取代传统的Nb基超导体,在制冷机工作温区(20 K-30 K),特别是在核磁共振成像(MRI)有可能成为工业化应用的超导材料。但是缺乏合适的钉扎中心和较低的上临界场(Hc2)阻碍了MgB2超导体在20 K温区大规模工业应用。引入纳米级缺陷、细化MgB2超导体晶粒和改善晶粒间的连接性是提高MgB2超导体临界电流特性的有效途径。本文选择化学掺杂作为主要的研究手段引入有效钉扎中心,提高MgB2超导体的载流能力。第一章简要的介绍了超导体的发展和MgB2超导材料的研究背景,分析了目前所存在的主要问题,提出了本文的研究目标和内容。第二章主要从其超导机理、三个基本物理性质以及影响这些因素的各种条件对超导体进行了阐述。并简单的介绍了MgB2超导体的各种制备方法以及测试仪器。第三章研究了不同质量百分比氧化铜掺杂和四氧化三铁掺杂对MgB2超导体各种超导性能的影响。第四章介绍了不同质量百分比柠檬酸掺杂对MgB2超导体的影响以及不同预处理温度下处理过的柠檬酸掺杂对MgB2超导体超导电性和临界电流密度的影响。

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