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单层陶瓷电容器制备技术研究

吴晓东  
【摘要】:在表面安装技术(SMT)、整机小形化、高频化的不断发展的动力推动下,具有低等效串联电阻(ESR)、高Q值的片式射频/微波MLCC及片式射频/微波薄膜电容器,因其射频功率特性优良倍受移动通信、广播电视及卫星通信等发射基站的青睐。并在移动电话、无线局域网(W-LAN)等无线通信与信息终端产品中得到广泛应用。微型化的片式微波单层瓷介电容器(SLC)展示了良好的发展前景。SLC广泛适用于微波单片集成电路(MMIC)。如:振荡器、功率放大器、混频器等,可实现滤波、隔直流、阻抗匹配、RF旁路、共面波导等功能。为了适应产品体积小、微型化的发展趋势,公司根据市场需求和电容器国产化要求,下达了研究开发单层陶瓷电容器的项目。 本文以多层瓷介电容器生产为基础,结合溅射、电镀、光刻原理,论述了单层陶瓷电容器从方案设计阶段再到产品投入使用阶段的全过程。首先介绍了单层陶瓷电容器在国内外的研究动态及发展趋势,其次介绍了电极制备的基本原理,并对电容器设计思路作了简单介绍,最后,根据产品陶瓷基片和电极的制备工艺中存在的问题及关键技术进行了讨论。 本文研究的单层陶瓷电容器陶瓷基片基于介质膜流延法工艺和轧膜工艺进行加工设计的,电极是采用磁控溅射和电镀成型的方式制成。测试结果表明,本文研制的单层陶瓷电容器的指标完全满足设计要求,设计、工艺和测试平台满足生产需要。


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