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1.05μm高速宽带激光器研究

毛庆丰  
【摘要】: 本文对1.054μm宽带激光器组件的研制过程进行了论述。在对量子阱和应变 量子阱的能带结构、态密度、临界厚度、光谱线宽和调制带宽进行理论分析基础 上,重点讨论了器件的结构参数、材料参数设计,特别是波长的计算和对波长的 控制,并在现有的设备条件下,设计了工艺流程,重点分析了器件的脊形制作、 欧姆接触和烧结压焊工艺,对工艺条件进行了优化,最后分析了器件的可靠性, 给出了器件的主要特性及分析。该器件结构采用InGaAs/GaAs梯度折射率分别限 制(GRIN-SCH)脊形波导(RWG)应变单量子阱。有源层In组分x为0.35,阱厚d_w 为5.5nm。包层A1组分y为0.65,厚度0.45μm。脊形波导条宽3μm,高0.5μm。 光电参数为:波长1.054μm±0.001μm,输出功率大于0.5mW,光谱宽度小于2nm, 调制带宽大于3GHz。该器件填补了国内空白。


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