经导管标记房室传导参数与室间隔缺损封堵术后传导阻滞关系的研究

【摘要】：研究背景和目的：过去二十年间,室间隔缺损(VSD)经皮微创介入封堵治疗取得巨大进步,同时也一直存在着争议。早期阶段研发的封堵器系统的设计缺陷直接导致介入手术的低成功率以及较高的并发症发生率,在对膜周部室间隔缺损(pm-VSD)的封堵治疗中,封堵术后并发症房室传导阻滞尤其受到关注。 随着国产封堵器的研发,介入治疗膜周部室间隔缺损的手术成功率明显提高,并且主要并发症明显下降,但房室传导阻滞(AVB)仍然受到极大关注。早期研究学者多从流行病学、解剖学、力学等方面对心脏传导阻滞发生机制提出诸多假设,却鲜有从侵入性心脏电生理角度探索室间隔缺损介入封堵前后房室传导功能改变及与心脏阻滞发生关系的研究。 本研究纳入符合先心病室间隔缺损介入治疗指针患者,在介入封堵手术前及术后即刻行腔内希氏束(His)电图标测,研究室间隔缺损介入封堵前后房室传导参数改变,并结合体表心电图(ECG)深入探讨VSD介入封堵术与房室传导功能改变的关系。 研究对象与方法：(1)病例收集：纳入膜周部室间隔缺损患者32例,患者平均年龄10.9±11.2岁,术前所有患者心电图均为窦性心律,无明显心脏传导阻滞心电图表现。 (2)封堵器及传送系统：所有患者均接受国产封堵器治疗,输送系统由输送鞘、扩张管、推送导管、推送螺杆及装载器组成。 (3)封堵方法：①建立血管通路；②行左右心导管检查测定各房室、腔压力；③随后行左室及升主动脉造影明确缺损室间隔位置、大小及主动脉瓣功能；④建立经VSD的股动、静脉的导丝轨道；⑤沿轨道经股静脉放置输送鞘,经输送鞘将室间隔缺损封堵器送至缺损室间隔处打开,经超声及造影观察后释放封堵器。 (4)电生理检查：①侵入性电生理检查：分别于左右心导管检查术开始前及封堵伞释放后即刻两次标记腔内His电图,测量A-H、H-V、A-V间期；观察VSD封堵术前后希氏束各参数值改变,判断术中及术后可能发生AVB的机会及预防发生AVB可能性。；②体表心电图描记：分别记录术前及术后5-7日心电图测量PR间期,观察QRS波形态。 (5)随访：患者于出院后1月、3月、6月及1年复查心电图及经胸心脏超声(TTE),观察心脏传导阻滞发生或改变、封堵器位置形态、瓣膜结构及功能、残余分流等。结果：(1)本研究共30例患者完成手术前后腔内His电图标测,无电极导管操作相关严重并发症； (2)30例患者在封堵器释放后AV间期、AH间期、HV间期均值均有不同程度延长,但差异无统计学意义(P值0.1)； (3)术后AV、HV间期较基础测量值延长(≥15%)患者15例,其中6体表心电图有房室或室内传导阻滞改变；传导参数未延长15例患者中仅2例发生心脏传导阻滞,但差异无统计学意义(P=0.215)； (4)≤10岁年龄组术后AV间期均值较术前延长(130.9±28.4ms：119.3±15.8ms),差异有统计学意义(P=0.048)。在年龄10岁组手术前后AH、HV、AV间期均无明显改变(P0.1); (5)室间隔膜部瘤、VSD直径、封堵器直径/VSD直径与术后传导阻滞关系无显著相关(P0.1)。 结论：(1)室间隔缺损介入封堵手术前行腔内His电图标测,可提早发现VSD房室传导功能异常,对VSD介入封堵术后发生AVB的潜在可能性有预测价值。 (2)VSD介入封堵手术前后传导参数的改变,可预测术后房室传导阻滞发生,并指导VSD介入治疗手术、预防房室传导阻滞发生。 (3)VSD介入试封堵时,行His标测可选择封堵术释放与否。