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新型MIp~+-Al_xGa_(1-x)As/p-GaAs/n-GaAs/n~+-GaAs太阳电池

杨燮森  
【摘要】: 本文研究新型MIp~+-Al_xGa_(1-x)As/p-GaAs/n-GaAs/n~+-GaAs太阳电 池。在传统GaAs太阳电池的基础上,改变其窗层为MIP~+-Al_xGa_(1-x)As结构,使 其能有效地吸收利用太阳光谱中的短波部分。与此同时,在该层表面通过感应 结建立的表面势垒,可以大大的降低其表面复合和提高光生电流的收集。 在该设计的基础上进行了光电流和暗电流的理论计算分析。得到了电池各 部分的参数的优化结果,并计算出电池的理论J-V特性曲线和理论效率。其结 果为: 短路电流密度J=39.01(mA/cm~2) 开路电压V=1.231(V) 填充因子FF=0.889 理论效率η=31.55% 该电池的理论效率比传统的窗层Al_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池约高3%,明显 地提高了效率。


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