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PN二极管对高功率微波激励的响应研究

郭杰荣  
【摘要】: 本文研究PN结半导体器件在高功率微波(High Power Microwave,HPM)激励 下的损伤机理,建立起PN结稳态和瞬态行为的一维模型。采用时域有限差分方法 (FDTD)处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组,并讨论 了器件参数的确定方法。在此基础上采用Fortran90编制了PN结一维模拟程序。 应用该程序模拟了二极管在几种不同高功率微波环境下的内部过程。这些结论可 以通过器件在稳态下所呈现的特性加以证明,从实验得出的结果与理论模拟结果 相符。本文研究途径及模拟方法为下一步PN结器件的二维模拟及电子系统的模 拟奠定了基础。


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