碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析

【摘要】： SiC是一种宽带隙半导体材料、第三代半导体材料的代表，是制造高温、高频、大功率、抗辐照等半导体器件的优选材料，又被称为极端电子学材料，在微电子学领域具有广阔的应用前景。本论文提出了在蓝宝石上引入一层缓冲层材料形成复合衬底，采用常压化学气相淀积(APCVD)方法在其上异质外延生长SiC薄膜的技术，分析了CVD法生长SiC的物理化学过程，通过实验提出SiC薄膜生长的工艺条件，并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光谱(PL谱)和扫描电镜(SEM)对外延薄膜的结构性质进行分析。结果表明，在蓝宝石复合衬底上可以生长出均匀连续的SiC单晶薄膜。