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砷化镓射频功率MESFET大信号模型研究

刘桂云  
【摘要】:砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,广泛应用于射频微波领域。GaAs 材料具有较宽的禁带、高载流子漂移速度等许多优点,具有广阔的应用领域。在 微波功率器件中,GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)的应用比较成熟, 但是对于微波大信号的研究,一直是人们关注的问题,也是难度较大的问题。本 文就要对GaAs MESFET射频大信号特性进行研究。 本文首先建立了GaAs MESFET小信号模型,提出了模型参数提取方法。在 小信号模型的基础上,建立GaAs MESFET的大信号等效电路模型,引入非线性 模型及模型参数提取方法。然后,提出了GaAs MESFET大信号物理模型,进行 模拟结果与实验数值比较,得到了较为满意的结果。本文还提出了查表插值法来 解决大信号模拟问题。 本文为设计射频功率GaAs MESFET放大器提供一定的理论指导,为GaAs MESFET的大信号的研究提供一定的基础。


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