收藏本站
收藏 | 论文排版

温度对Pt/Au异质外延薄膜生长影响的分子动力学模拟

李杰  
【摘要】:异质外延生长的研究是薄膜生长中的重要研究方向,要认识异质薄膜生长的物理本质必须从原子级别来研究,无论是对改进制备工艺,还是提高薄膜质量都有着十分重要的指导作用。本文利用计算机模拟方法,采用了EAM原子间相互作用势对Pt/A(?)(111)异质外延生长进行了模拟,分析了不同的沉积温度对薄膜表面粗糙度的影响、薄膜的生长模式、薄膜和衬底界面处的互扩散现象、薄膜各原子层相对密度的变化关系等方面,并简单分析了在外界条件下,Pt/Au薄膜和Au/Pt薄膜生长状态的差异。 本文主要结论如下: 1.沉积温度影响Pt/Au外延薄膜的生长模式:在300K-700K沉积温度下,Pt/Au体系在生长初期均表现为二维的层状生长模式;但随外延时间的增长,在300K的温度下,Pt薄膜会呈现出三维的小岛状生长模式;在500K和700K的温度下,薄膜的生长模式则逐渐过渡到层状生长;在700K的温度下,Pt薄膜呈现出明显的层状生长特征。 2.沉积温度影响Pt/Au外延薄膜的结构:随沉积温度的升高,Pt/Au薄膜的表面形貌由粗糙逐渐过渡为光滑,内部原子排列也越来越致密。 3.沉积温度影响Pt/Au外延薄膜的界面互扩散:随沉积温度的升高,Pt/Au薄膜界面处的互扩散现象增强,300K和500K时,界面互扩散仅有2-3个原子层,扩散的原子数也很少,而700K时,界面互扩散可达7-9个原子层,存在大量的互扩散原子。 4.温度对Au/Pt体系外延生长的影响规律类似,但在相同的条件下,Au/Pt体系比Pt/Au体系表面粗糙度更低,并且无界面互扩散现象。


知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 孙玄;黄煦;王亚洲;冯庆荣;;MgB_2超薄膜的制备和性质研究[J];物理学报;2011年08期
2 李洪涛;蒋百灵;杨波;曹政;;溅射环境下基片表面所受到的轰击能量研究[J];人工晶体学报;2011年03期
3 潘书万;亓东峰;陈松岩;李成;黄巍;赖虹凯;;Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用[J];物理学报;2011年09期
4 于海群;左然;陈景升;;一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟[J];人工晶体学报;2011年04期
5 杨晓萍;郑殊;王正汹;刘悦;;动力学Monte Carlo模拟原子相互作用对薄膜外延生长的影响[J];纳米科技;2011年03期
6 吴迪;季长清;段萍;宫野;;强流脉冲离子束辐照钨靶温度场演化数值研究[J];沈阳师范大学学报(自然科学版);2011年03期
7 盛明裕;赵源;刘富强;胡巧多;郑玉祥;陈良尧;;等离子体辅助电子束蒸发低温制备SiO_2纳光子薄膜[J];红外与毫米波学报;2011年03期
8 李振豪;李琳;普朝光;;应用于非制冷焦平面器件上的PMN-PT铁电薄膜[J];硅酸盐学报;2011年09期
9 李洪涛;蒋百灵;杨波;曹政;;一种新颖的磁控溅射纯Cr薄膜结构区域模型[J];人工晶体学报;2011年04期
10 颜超;;载能Ni原子斜入射Pt(111)表面的分子动力学模拟[J];计算物理;2011年05期
11 ;[J];;年期
12 ;[J];;年期
13 ;[J];;年期
14 ;[J];;年期
15 ;[J];;年期
16 ;[J];;年期
17 ;[J];;年期
18 ;[J];;年期
19 ;[J];;年期
20 ;[J];;年期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 陈书汉;江绍基;;微纳结构薄膜生长蒙特卡罗模拟研究[A];中国光学学会2011年学术大会摘要集[C];2011年
2 刘昌辉;何华辉;;基片上薄膜生长过程的计算机模拟[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ[C];2004年
3 黄文;周立勋;魏贤华;朱俊;张鹰;蒋书文;李言荣;;CoFe_2O_4薄膜生长过程研究[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年
4 王全彪;杨瑞东;杨宇;;Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的模拟研究[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年
5 顾彪;徐茵;秦福文;王三胜;隋郁;;立方GaN结晶薄膜生长中的ECR等离子体[A];2000年材料科学与工程新进展(上)——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年
6 郭丽萍;刘贵荣;李林;;(100)SiTiO_3基底上YBa_2Cu_3O_7/SrTiO_3/YBa_2Cu_3O_7异质外延三层膜的透射电镜观察[A];第八次全国电子显微学会议论文摘要集(Ⅱ)[C];1994年
7 冯露;;台阶式外延生长过程的连续物理描述[A];2006年全国固体力学青年学者研讨会论文摘要文集[C];2006年
8 方亮;高岭;董建新;彭丽萍;刘高斌;汪立文;;透明导电SrCu_2O_2薄膜的制备技术与生长机制的探讨[A];2007高技术新材料产业发展研讨会暨《材料导报》编委会年会论文集[C];2007年
9 李未;王岩国;韩培德;张泽;;InGaN薄膜生长缺陷对发光性能的影响[A];2000年材料科学与工程新进展(上)——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年
10 单英春;赫晓东;李明伟;李垚;史丽萍;;PVD薄膜生长的Monte Carlo模拟[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ[C];2004年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 鄢志丹;超高真空有机分子薄膜生长实时原位荧光显微方法与系统[D];天津大学;2010年
2 陈达;3C-SiC/Si异质外延生长与肖特基二极管伏安特性的研究[D];西安电子科技大学;2011年
3 蔡清元;薄膜生长的宽光谱监控技术及其应用研究[D];复旦大学;2011年
4 吴锋民;超薄薄膜各向异性生长的KMC模拟[D];浙江大学;2005年
5 任树洋;强磁场对真空蒸发薄膜生长的影响研究[D];上海大学;2011年
6 姚然;MOCVD异质外延硅基ZnO和SiC薄膜及其特性研究[D];中国科学技术大学;2007年
7 魏贤华;氧化物铁电薄膜生长与界面控制方法研究[D];电子科技大学;2005年
8 郑海务;SiC薄膜的低压化学气相外延生长及其微结构特性研究[D];中国科学技术大学;2006年
9 张超;载能沉积过程与异质外延生长行为的分子动力学模拟研究[D];大连理工大学;2006年
10 马春雨;高k-ZrO_2基薄膜生长行为及其稳定性的研究[D];大连理工大学;2006年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 荣海波;薄膜生长初期的蒙特卡罗模拟研究[D];大连理工大学;2010年
2 陈丹丹;(001)和(110)表面上薄膜生长特性的研究[D];东北大学;2008年
3 毛文;薄膜生长的数值模拟及实验验证[D];大连理工大学;2012年
4 许钧;3C-SiC缓冲层对在6H-SiC上生长SiCGe的影响[D];西安理工大学;2006年
5 胡晓琴;钙钛矿型铁电体原子间相互作用势的优化及应用[D];湘潭大学;2010年
6 孟旸;Au/Cu、Ag/Cu及Cu/Au体系异质外延生长的分子动力学研究[D];大连理工大学;2005年
7 杨宁;薄膜生长的理论模型和蒙特卡罗模拟[D];北京工业大学;2000年
8 张永华;碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析[D];西安电子科技大学;2002年
9 梁柱;氧化物异质外延过程中应变研究[D];电子科技大学;2006年
10 周智猛;GaN异质外延初始生长条件的优化及其实时监控[D];大连理工大学;2003年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 ;新当选中国科学院院士薛其坤简介[N];新清华;2005年
2 赵艳秋 穆强 编译;原子层淀积点亮超薄薄膜未来[N];中国电子报;2002年
3 ;大型多晶硅片加速碳化硅器件的发展[N];中国电子报;2001年
4 本报记者 石伟;把握微电子技术 增强自主创新能力[N];经济日报;2001年
5 过国忠 实习生 张积勇;施正荣:中国能源新技术发展的推进者[N];科技日报;2004年
6 CCID微电子研究所;我半导体专用设备市场升温[N];中国电子报;2002年
7 证券时报记者 建业;联合日企 天通股份进入LED基片领域[N];证券时报;2010年
8 吴映红;光伏技术、产业及市场[N];中国电子报;2000年
9 张小明;第三代半导体材料应用渐广[N];中国电子报;2002年
10 宗林;芯片上的图书馆已不是梦想[N];中国化工报;2004年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978